ECR-CVD相关论文
研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R(R-O2/SiH4)的SiOx薄膜及其真空退火处理后的发光性能.结果表......
类金刚石碳(Diamond-like carbon,DLC)膜是由C的SP~2和SP~3两种混合键组成的空间无定形非晶碳膜,具备优良的机械、电学、光学和声......
本文应用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD)进行了一维纳米材料的制备.以Fe304纳米粒子为催化剂,采用不同的气源......
利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振( ECR)等离子体化学气相沉积 ( CVD)法在低温条件下制备的 Si Nx 膜的键结构和氢含量 ,分......
该文研究了Si补底上工艺条件对金刚石成核的影响.研究表明,预处理、衬底温度和RF偏压对金刚石成核起着关键的作用.最大成核密度是......
食用80％Ar稀释的SiH4，O2，CHF3和CH4作为前驱气体，利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了氧化硅／氟化非晶碳膜／氧......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用苯作工作气体 ,在一个电子回旋共振 (ECR)微波等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜 (a -C :H) .对苯等离子体作了质谱......
采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里......
采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD))方法在基片Si(100)上镀制了厚度为80m的氮碳膜(CNx膜),并研究了CNx膜的机械特性、摩擦特......
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔......
在苯(C6H6)和四氟化碳(CF4)混合气体中,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在不同功率下制备了氟化非晶碳膜(a-......
使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy......
以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4,B2H6和H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在多孔硅基底上制备出了掺......
用苯作工作气体。在一个电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）．对苯等离子体作了质谱分析，发现苯分解后形......
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体，用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分......
使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法（ECR-CVD），以Fe3O4纳米粒子为催化剂，多孔硅为基底，采用CH4／H2和CH4／B2H6／H2两种气源在连续......
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,用苯和三氟甲烷混合气体,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).用红外吸收光谱(FTIR)......
使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx......
利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子......
利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后......
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD),以CH4和H2为气源、Fe3O4 纳米粒子为催化剂,未加电场,在多孔硅基底......
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R（R=[CH4]/（[CH4]＋[C4F8]））条件下沉积氟化非......
使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜，通过改变前驱气体（SiH4＋80％Ar和NH3）的流量比，研......
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R（R=[CH4]／{[CH4]＋[C4F8]}）条件下成功地沉积......
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD),以CH4和H2为气源、Fe3O4纳米粒子为催化剂,未加电场情况下,在多孔硅......
随着超大规模集成电路的特征尺寸不断缩小,微电子器件的集成度不断提高,由器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容......
